Materi Kuliah

Bahan presentasi ini dibuat untuk memenuhi  tugas mata kuliah Elektronika kelas B Dosen : Darwison, M.T Oleh: Novi Putri 1610952023 Jurusan Teknik Elektro Fakultas Teknik Universitas Andalas Padang 2017   BAB V BJT 1. Penguat satu tingkat pada frekuensi rendah Adapun respon amplifier pada frekuensi rendah adalah seperti gambar 1.1 Dari penguatan H(s) = A VS (s) = Vo(s)/Vs(s) Dimana,                s = jw -> H dB = 20 log|H(s)| s=jw                dB = 10 log (P 2 /P 1 )  -> P = Power                P 1 = V 1 2 /R 1                P 2 = V 2 2 /R 2 Maka                    dB = 10 log (V 2 2 /R 2 / V 1 2 /R 1 )   ->  R 1 = R 2 Gambar 1.1 Respon Amplifier pada frekuensi rendah s/d tinggi ·         Pada frekuensi rendah, X C cukup besar yang dapat menimbulkan rugi tegangan yang cukup berarti pada kapasitor C. Bila keadaan itu sedemikian sehingga X C = R maka didapatkan:   Gambar 1.2 diagram

Bahan presentasi ini dibuat untuk memenuhi  tugas mata kuliah Elektronika kelas B Dosen : Darwison, M.T Oleh: Novi Putri 1610952023 Jurusan Teknik Elektro Fakultas Teknik Universitas Andalas Padang 2017 BAB VI UNIPOLAR (FET) 1. Pendahuluan     Kerja JFET yaitu dengan variable kontrol V GS  dan konstanta I DSS  serta V P sedangkan BJT dengan variable kontrol I B  dengan konstanta β. Gambar 1.1 Simbol (a) JFET dan (b) BJT Tabel 2 Perbandingan JFET dan BJT   2. Konstruksi dan karakteristik Transistor JFET a. Konstruksi Transistor JFET Channel n dan Channel p Transistor JFET (UJT) memiliki dua tipe yaitu Channel  n dan Channel  p. Konstruksi Transistor JFET Channel n  merupakan persambungan tiga susunan lapisan bahan semikonduktor yaitu bahan p, bahan n, dan bahan p sedangkan Channel p  merupakan persambungan tiga susunan lapisan bahan semikonduktor yaitu bahan n, bahan p, dan bahan n seperti gambar 2.1 Gambar 2.1